ATP112-TL-H

onsemi

ATP112-TL-H

Analog & Leistungselektronik

MOSFET P-CH 60V 25A ATPAK

ObsoletATPAK (2 Leads+Tab)Analog & Leistungselektronik

Technische Spezifikationen

Strukturierte elektrische, mechanische und umweltbezogene Parameter aus importierten Produktattributen.

Allgemein

Rds On (Max) @ Id, Vgs43mOhm @ 13A, 10V
FET TypeP-Channel
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs33.5 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds1450 pF @ 20 V
Herstelleronsemi
MontageartSurface Mount
Product StatusObsolete
TechnologieMOSFET (Metal Oxide)
Vgs (Max)±20V

Elektrisch

Drain-Source-Spannung60 V
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On)4V, 10V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C25A (Ta)
Max. Verlustleistung40W (Tc)

Mechanisch

GehäuseTape & Reel (TR)
Package / CaseATPAK (2 Leads+Tab)
Hersteller-GehäuseATPAK

Umwelt

Betriebstemperatur150°C(TJ)