AFGY100T65SPD

onsemi

AFGY100T65SPD

Datenblatt

Analog & Leistungselektronik

IGBT - 650 V 100 A FS3 FOR EV TR

AktivTO-247-3Analog & Leistungselektronik

Technische Spezifikationen

Strukturierte elektrische, mechanische und umweltbezogene Parameter aus importierten Produktattributen.

Allgemein

Gate Charge109 nC
IGBT TypeTrench Field Stop
EingangstypStandard
Herstelleronsemi
MontageartThrough Hole
Product StatusActive
Reverse Recovery Time (trr)105 ns
Switching Energy5.1mJ (on), 2.7mJ (off)
Td (on/off) @ 25°C36ns/78ns
Test Condition400V, 100A, 5Ohm, 15V
Vce(on) (Max) @ Vge, Ic2.05V @ 15V, 100A

Elektrisch

Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max)650 V
Current - Collector (Ic) (Max)120 A
Current - Collector Pulsed (Icm)300 A
Power - Max660 W

Mechanisch

GehäuseTube

Umwelt

GradeAutomotive
Betriebstemperatur-55°C ~ 175°C (TJ)
QualificationAEC-Q101