Allgemein
| Basis-Teilenummer | 2N4209 |
|---|---|
| Hersteller | onsemi |
| Montageart | Surface Mount |
| Product Status | Obsolete |
| Transistor Type | PNP |
| Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic | 800mV @ 100µA, 1mA |
Technische Spezifikationen
Strukturierte elektrische, mechanische und umweltbezogene Parameter aus importierten Produktattributen.
Elektrisch
| Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max) | 15 V |
|---|---|
| Current - Collector (Ic) (Max) | 50 mA |
| Current - Collector Cutoff (Max) | 10nA |
| DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce | 35 @ 1mA, 5V |
| Power - Max | 300 mW |
| Frequency - Transition | 850MHz |
Mechanisch
| Gehäuse | Bulk |
|---|---|
| Package / Case | Die |
| Hersteller-Gehäuse | Die |
Umwelt
| Betriebstemperatur | 200°C (TJ) |
|---|