3LP01M-TL-E

onsemi

3LP01M-TL-E

Analog & Leistungselektronik

MOSFET P-CH 30V 100MA 3MCP

ObsoletSC-70, SOT-323Analog & Leistungselektronik

Technische Spezifikationen

Strukturierte elektrische, mechanische und umweltbezogene Parameter aus importierten Produktattributen.

Allgemein

Rds On (Max) @ Id, Vgs10.4Ohm @ 50mA, 4V
FET TypeP-Channel
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs1.43 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds7.5 pF @ 10 V
Herstelleronsemi
MontageartSurface Mount
Product StatusObsolete
TechnologieMOSFET (Metal Oxide)
Vgs (Max)±10V

Elektrisch

Drain-Source-Spannung30 V
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On)1.5V, 4V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C100mA (Ta)
Max. Verlustleistung150mW (Ta)

Mechanisch

GehäuseTape & Reel (TR)
Package / CaseSC-70, SOT-323
Hersteller-GehäuseMCP

Umwelt

Betriebstemperatur150°C (TJ)