Allgemein
| Rds On (Max) @ Id, Vgs | 20Ohm @ 10mA, 10V |
|---|---|
| FET Type | N-Channel |
| Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds | 15 pF @ 10 V |
| Hersteller | onsemi |
| Montageart | Through Hole |
| Product Status | Obsolete |
| Technologie | MOSFET (Metal Oxide) |
Technische Spezifikationen
Strukturierte elektrische, mechanische und umweltbezogene Parameter aus importierten Produktattributen.
Elektrisch
| Drain-Source-Spannung | 50 V |
|---|---|
| Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C | 100mA (Ta) |
| Max. Verlustleistung | 200mW (Ta) |
Mechanisch
| Gehäuse | Box |
|---|---|
| Package / Case | 3-SIP |
| Hersteller-Gehäuse | 3-SPA |
Umwelt
| Betriebstemperatur | 125°C (TJ) |
|---|