2SK536-TB-E

onsemi

2SK536-TB-E

Datenblatt

Analog & Leistungselektronik

MOSFET N-CH 50V 100MA SC59

ObsoletTO-236-3, SC-59, SOT-23-3Analog & Leistungselektronik

Technische Spezifikationen

Strukturierte elektrische, mechanische und umweltbezogene Parameter aus importierten Produktattributen.

Allgemein

Rds On (Max) @ Id, Vgs20Ohm @ 10mA, 10V
Basis-Teilenummer2SK536
FET TypeN-Channel
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds15 pF @ 10 V
Herstelleronsemi
MontageartSurface Mount
Product StatusObsolete
TechnologieMOSFET (Metal Oxide)
Vgs (Max)±12V

Elektrisch

Drain-Source-Spannung50 V
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On)10V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C100mA (Ta)
Max. Verlustleistung200mW (Ta)

Mechanisch

GehäuseTape & Reel (TR)
Package / CaseTO-236-3, SC-59, SOT-23-3
Hersteller-Gehäuse3-CP

Umwelt

Betriebstemperatur125°C(TJ)