2SK4177-E

onsemi

2SK4177-E

Datenblatt

Analog & Leistungselektronik

MOSFET N-CH 1500V 2A SMP-FD

ObsoletTO-263-3, D²Pak (2 Leads + Tab), TO-263ABAnalog & Leistungselektronik

Technische Spezifikationen

Strukturierte elektrische, mechanische und umweltbezogene Parameter aus importierten Produktattributen.

Allgemein

Rds On (Max) @ Id, Vgs13Ohm @ 1A, 10V
FET TypeN-Channel
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs37.5 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds380 pF @ 30 V
Herstelleronsemi
MontageartSurface Mount
Product StatusObsolete
TechnologieMOSFET (Metal Oxide)
Vgs (Max)±20V
Vgs(th) (Max) @ Id3.5V @ 1mA

Elektrisch

Drain-Source-Spannung1500 V
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On)10V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C2A (Ta)
Max. Verlustleistung80W (Tc)

Mechanisch

GehäuseBulk
Package / CaseTO-263-3, D²Pak (2 Leads + Tab), TO-263AB
Hersteller-GehäuseSMP-FD

Umwelt

Betriebstemperatur150°C (TJ)