2SJ665-DL-E

onsemi

2SJ665-DL-E

Datenblatt

Analog & Leistungselektronik

MOSFET P-CH 100V 27A SMP-FD

ObsoletTO-263-3, D²Pak (2 Leads + Tab), TO-263ABAnalog & Leistungselektronik

Technische Spezifikationen

Strukturierte elektrische, mechanische und umweltbezogene Parameter aus importierten Produktattributen.

Allgemein

Rds On (Max) @ Id, Vgs77mOhm @ 14A, 10V
FET TypeP-Channel
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs74 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds4200 pF @ 20 V
Herstelleronsemi
MontageartSurface Mount
Product StatusObsolete
TechnologieMOSFET (Metal Oxide)
Vgs (Max)±20V
Vgs(th) (Max) @ Id2.6V @ 1mA

Elektrisch

Drain-Source-Spannung100 V
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On)4V, 10V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C27A (Ta)
Max. Verlustleistung1.65W (Ta), 65W (Tc)

Mechanisch

GehäuseTape & Reel (TR)
Package / CaseTO-263-3, D²Pak (2 Leads + Tab), TO-263AB
Hersteller-GehäuseSMP-FD

Umwelt

Betriebstemperatur150°C (TJ)