Allgemein
| Basis-Teilenummer | 2SD1060 |
|---|---|
| Hersteller | onsemi |
| Montageart | Through Hole |
| Product Status | Active |
| Transistor Type | NPN |
| Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic | 300mV @ 300mA, 3A |
Technische Spezifikationen
Strukturierte elektrische, mechanische und umweltbezogene Parameter aus importierten Produktattributen.
Elektrisch
| Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max) | 50 V |
|---|---|
| Current - Collector (Ic) (Max) | 5 A |
| Current - Collector Cutoff (Max) | 100µA (ICBO) |
| DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce | 140 @ 1A, 2V |
| Power - Max | 1.75 W |
| Frequency - Transition | 30MHz |
Mechanisch
| Gehäuse | Tube |
|---|---|
| Package / Case | TO-220-3 |
| Hersteller-Gehäuse | TO-220-3 |
Umwelt
| Betriebstemperatur | 150°C (TJ) |
|---|