Allgemein
| Hersteller | onsemi |
|---|---|
| Montageart | Through Hole |
| Product Status | Obsolete |
| Transistor Type | NPN |
| Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic | 2.5V @ 500mA, 5A |
Technische Spezifikationen
Strukturierte elektrische, mechanische und umweltbezogene Parameter aus importierten Produktattributen.
Elektrisch
| Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max) | 140 V |
|---|---|
| Current - Collector (Ic) (Max) | 12 A |
| Current - Collector Cutoff (Max) | 100µA (ICBO) |
| DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce | 100 @ 1A, 5V |
| Power - Max | 120 W |
| Frequency - Transition | 15MHz |
Mechanisch
| Gehäuse | Tray |
|---|---|
| Package / Case | TO-3P-3, SC-65-3 |
| Hersteller-Gehäuse | TO-3PB |