Allgemein
| Hersteller | onsemi |
|---|---|
| Montageart | Through Hole |
| Verpackung | Bulk |
| Teilestatus | Aktiv |
| Transistor Type | NPN |
| Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic | 500mV @ 4mA, 200mA |
Technische Spezifikationen
Strukturierte elektrische, mechanische und umweltbezogene Parameter aus importierten Produktattributen.
Elektrisch
| Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max) | 25 V |
|---|---|
| Current - Collector (Ic) (Max) | 300 mA |
| DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce | 300 @ 10mA, 5V |
| Power - Max | 300 mW |
| Frequency - Transition | 250MHz |
Mechanisch
| Package / Case | 3-SSIP |
|---|---|
| Hersteller-Gehäuse | 3-SPA |