2SB817C

onsemi

2SB817C

Analog & Leistungselektronik

PNP SILICON TRANSISTOR

ObsoletTO-3P-3, SC-65-3Analog & Leistungselektronik

Technische Spezifikationen

Strukturierte elektrische, mechanische und umweltbezogene Parameter aus importierten Produktattributen.

Allgemein

Herstelleronsemi
MontageartThrough Hole
Product StatusObsolete
Transistor TypePNP
Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic2V @ 500mA, 5A

Elektrisch

Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max)140 V
Current - Collector (Ic) (Max)12 A
Current - Collector Cutoff (Max)100µA (ICBO)
DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce100 @ 1A, 5V
Power - Max2.5 W
Frequency - Transition10MHz

Mechanisch

GehäuseBulk
Package / CaseTO-3P-3, SC-65-3
Hersteller-GehäuseTO-3P-3

Umwelt

Betriebstemperatur150°C (TJ)