Allgemein
| Basis-Teilenummer | 2SB1201 |
|---|---|
| Hersteller | onsemi |
| Montageart | Through Hole |
| Product Status | Active |
| Transistor Type | PNP |
| Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic | 700mV @ 50mA, 1A |
Technische Spezifikationen
Strukturierte elektrische, mechanische und umweltbezogene Parameter aus importierten Produktattributen.
Elektrisch
| Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max) | 50 V |
|---|---|
| Current - Collector (Ic) (Max) | 2 A |
| Current - Collector Cutoff (Max) | 100nA (ICBO) |
| DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce | 200 @ 100mA, 2V |
| Power - Max | 800 mW |
| Frequency - Transition | 150MHz |
Mechanisch
| Gehäuse | Bulk |
|---|---|
| Package / Case | TO-251-3 Short Leads, IPak, TO-251AA |
| Hersteller-Gehäuse | TP |
Umwelt
| Betriebstemperatur | 150°C (TJ) |
|---|