Allgemein
| Basis-Teilenummer | 2SA1962 |
|---|---|
| Hersteller | onsemi |
| Montageart | Through Hole |
| Product Status | Obsolete |
| Transistor Type | PNP |
| Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic | 3V @ 800mA, 8A |
Technische Spezifikationen
Strukturierte elektrische, mechanische und umweltbezogene Parameter aus importierten Produktattributen.
Elektrisch
| Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max) | 250 V |
|---|---|
| Current - Collector (Ic) (Max) | 17 A |
| Current - Collector Cutoff (Max) | 5µA (ICBO) |
| DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce | 55 @ 1A, 5V |
| Power - Max | 130 W |
| Frequency - Transition | 30MHz |
Mechanisch
| Gehäuse | Tube |
|---|---|
| Package / Case | TO-3P-3, SC-65-3 |
| Hersteller-Gehäuse | TO-3P |
Umwelt
| Betriebstemperatur | -55°C ~ 150°C (TJ) |
|---|