2N7002ET7G

onsemi

2N7002ET7G

Datenblatt

Analog & Leistungselektronik

MOSFET N-CH 60V 260MA SOT23-3

AktivTO-236-3, SC-59, SOT-23-3Analog & Leistungselektronik

Technische Spezifikationen

Strukturierte elektrische, mechanische und umweltbezogene Parameter aus importierten Produktattributen.

Allgemein

Rds On (Max) @ Id, Vgs2.5Ohm @ 240mA, 10V
FET TypeN-Channel
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs0.81 nC @ 5 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds40 pF @ 25 V
Herstelleronsemi
MontageartSurface Mount
Product StatusActive
TechnologieMOSFET (Metal Oxide)
Vgs (Max)±20V
Vgs(th) (Max) @ Id2.5V @ 250µA

Elektrisch

Drain-Source-Spannung60 V
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On)4.5V, 10V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C260mA (Ta)
Max. Verlustleistung300mW (Tj)

Mechanisch

GehäuseTape & Reel (TR) Cut Tape (CT)
Package / CaseTO-236-3, SC-59, SOT-23-3
Hersteller-GehäuseSOT-23-3 (TO-236)

Umwelt

Betriebstemperatur-55°C ~ 150°C (TJ)