Allgemein
| Basis-Teilenummer | 2N6667 |
|---|---|
| Hersteller | onsemi |
| Montageart | Through Hole |
| Product Status | Obsolete |
| Transistor Type | PNP - Darlington |
| Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic | 3V @ 100mA, 10A |
Technische Spezifikationen
Strukturierte elektrische, mechanische und umweltbezogene Parameter aus importierten Produktattributen.
Elektrisch
| Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max) | 60 V |
|---|---|
| Current - Collector (Ic) (Max) | 10 A |
| Current - Collector Cutoff (Max) | 1mA |
| DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce | 1000 @ 5A, 3V |
| Power - Max | 2 W |
Mechanisch
| Gehäuse | Tube |
|---|---|
| Package / Case | TO-220-3 |
| Hersteller-Gehäuse | TO-220 |
Umwelt
| Betriebstemperatur | -65°C ~ 150°C (TJ) |
|---|