Allgemein
| Basis-Teilenummer | 2N6517 |
|---|---|
| Hersteller | onsemi |
| Montageart | Through Hole |
| Product Status | Last Time Buy |
| Transistor Type | NPN |
| Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic | 1V @ 5mA, 50mA |
Technische Spezifikationen
Strukturierte elektrische, mechanische und umweltbezogene Parameter aus importierten Produktattributen.
Elektrisch
| Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max) | 350 V |
|---|---|
| Current - Collector (Ic) (Max) | 500 mA |
| Current - Collector Cutoff (Max) | 50nA (ICBO) |
| DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce | 20 @ 50mA, 10V |
| Power - Max | 625 mW |
| Frequency - Transition | 200MHz |
Mechanisch
| Gehäuse | Bulk |
|---|---|
| Package / Case | TO-226-3, TO-92-3 (TO-226AA) |
| Hersteller-Gehäuse | TO-92-3 |
Umwelt
| Betriebstemperatur | 150°C (TJ) |
|---|