Allgemein
| Basis-Teilenummer | 2N5962 |
|---|---|
| Hersteller | onsemi |
| Montageart | Through Hole |
| Product Status | Obsolete |
| Transistor Type | NPN |
| Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic | 200mV @ 500µA, 10mA |
Technische Spezifikationen
Strukturierte elektrische, mechanische und umweltbezogene Parameter aus importierten Produktattributen.
Elektrisch
| Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max) | 45 V |
|---|---|
| Current - Collector (Ic) (Max) | 100 mA |
| Current - Collector Cutoff (Max) | 2nA (ICBO) |
| DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce | 600 @ 10mA, 5V |
| Power - Max | 625 mW |
Mechanisch
| Gehäuse | Bulk |
|---|---|
| Package / Case | TO-226-3, TO-92-3 (TO-226AA) |
| Hersteller-Gehäuse | TO-92-3 |
Umwelt
| Betriebstemperatur | -55°C ~ 150°C (TJ) |
|---|