Allgemein
| Basis-Teilenummer | 2N5886 |
|---|---|
| Hersteller | onsemi |
| Montageart | Through Hole |
| Product Status | Obsolete |
| Transistor Type | NPN |
| Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic | 4V @ 6.25A, 25A |
Technische Spezifikationen
Strukturierte elektrische, mechanische und umweltbezogene Parameter aus importierten Produktattributen.
Elektrisch
| Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max) | 80 V |
|---|---|
| Current - Collector (Ic) (Max) | 25 A |
| Current - Collector Cutoff (Max) | 2mA |
| DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce | 20 @ 10A, 4V |
| Power - Max | 200 W |
| Frequency - Transition | 4MHz |
Mechanisch
| Gehäuse | Tray |
|---|---|
| Package / Case | TO-204AA, TO-3 |
| Hersteller-Gehäuse | TO-204 (TO-3) |
Umwelt
| Betriebstemperatur | -65°C ~ 200°C (TJ) |
|---|