Allgemein
| Basis-Teilenummer | 2N5770 |
|---|---|
| Hersteller | onsemi |
| Montageart | Through Hole |
| Noise Figure (dB Typ @ f) | 6dB @ 60MHz |
| Product Status | Obsolete |
| Transistor Type | NPN |
Technische Spezifikationen
Strukturierte elektrische, mechanische und umweltbezogene Parameter aus importierten Produktattributen.
Elektrisch
| Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max) | 15V |
|---|---|
| Current - Collector (Ic) (Max) | 50mA |
| DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce | 50 @ 8mA, 10V |
| Power - Max | 350mW |
| Gain | 15dB |
Mechanisch
| Gehäuse | Tape & Box (TB) |
|---|---|
| Package / Case | TO-226-3, TO-92-3 (TO-226AA) Formed Leads |
| Hersteller-Gehäuse | TO-92-3 |
Umwelt
| Betriebstemperatur | -55°C ~ 150°C (TJ) |
|---|