PMWD19UN,518

NXP USA Inc

PMWD19UN,518

Analog & Leistungselektronik

MOSFET 2N-CH 30V 5.6A 8TSSOP

Obsolet8-TSSOP (0.173", 4.40mm Width)Analog & Leistungselektronik

Technische Spezifikationen

Strukturierte elektrische, mechanische und umweltbezogene Parameter aus importierten Produktattributen.

Allgemein

Rds On (Max) @ Id, Vgs23mOhm @ 3.5A, 4.5V
Basis-TeilenummerPMWD19
Konfiguration2 N-Channel (Dual)
FET FeatureLogic Level Gate
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs28nC @ 5V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds1478pF @ 10V
HerstellerNXP USA Inc.
MontageartSurface Mount
Product StatusObsolete
SerieTrenchMOS™
TechnologieMOSFET (Metal Oxide)
Vgs(th) (Max) @ Id700mV @ 1mA

Elektrisch

Drain-Source-Spannung30V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C5.6A
Power - Max2.3W

Mechanisch

GehäuseTape & Reel (TR)
Package / Case8-TSSOP (0.173", 4.40mm Width)
Hersteller-Gehäuse8-TSSOP

Umwelt

Betriebstemperatur-55°C ~ 150°C (TJ)