PMWD16UN,518

NXP USA Inc

PMWD16UN,518

Analog & Leistungselektronik

MOSFET 2N-CH 20V 9.9A 8TSSOP

Obsolet8-TSSOP (0.173", 4.40mm Width)Analog & Leistungselektronik

Technische Spezifikationen

Strukturierte elektrische, mechanische und umweltbezogene Parameter aus importierten Produktattributen.

Allgemein

Rds On (Max) @ Id, Vgs19mOhm @ 3.5A, 4.5V
Basis-TeilenummerPMWD16
Konfiguration2 N-Channel (Dual)
FET FeatureLogic Level Gate
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs23.6nC @ 4.5V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds1366pF @ 16V
HerstellerNXP USA Inc.
MontageartSurface Mount
VerpackungTape & Reel (TR) Cut Tape (CT)
TeilestatusObsolet
SerieTrenchMOS™
TechnologieMOSFET (Metal Oxide)
Vgs(th) (Max) @ Id700mV @ 1mA

Elektrisch

Drain-Source-Spannung20V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C9.9A
Power - Max3.1W

Mechanisch

Package / Case8-TSSOP (0.173", 4.40mm Width)
Hersteller-Gehäuse8-TSSOP

Umwelt

Betriebstemperatur-55°C ~ 150°C (TJ)