PMN49EN,135

NXP USA Inc

PMN49EN,135

Analog & Leistungselektronik

MOSFET N-CH 30V 4.6A 6TSOP

ObsoletSC-74, SOT-457Analog & Leistungselektronik

Technische Spezifikationen

Strukturierte elektrische, mechanische und umweltbezogene Parameter aus importierten Produktattributen.

Allgemein

Rds On (Max) @ Id, Vgs47mOhm @ 2A, 10V
FET TypeN-Channel
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs8.8 nC @ 4.5 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds350 pF @ 30 V
HerstellerNXP USA Inc.
MontageartSurface Mount
Product StatusObsolete
SerieTrenchMOS™
TechnologieMOSFET (Metal Oxide)
Vgs (Max)±20V
Vgs(th) (Max) @ Id2V @ 1mA

Elektrisch

Drain-Source-Spannung30 V
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On)4.5V, 10V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C4.6A (Tc)
Max. Verlustleistung1.75W (Tc)

Mechanisch

GehäuseTape & Reel (TR)
Package / CaseSC-74, SOT-457
Hersteller-GehäuseSC-74

Umwelt

Betriebstemperatur-55°C ~ 150°C (TJ)