PMN35EN,115

NXP USA Inc

PMN35EN,115

Analog & Leistungselektronik

MOSFET N-CH 30V 5.1A 6TSOP

ObsoletSC-74, SOT-457Analog & Leistungselektronik

Technische Spezifikationen

Strukturierte elektrische, mechanische und umweltbezogene Parameter aus importierten Produktattributen.

Allgemein

Rds On (Max) @ Id, Vgs31mOhm @ 5.1A, 10V
FET TypeN-Channel
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs9.3 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds334 pF @ 15 V
HerstellerNXP USA Inc.
MontageartSurface Mount
Product StatusObsolete
TechnologieMOSFET (Metal Oxide)
Vgs (Max)±20V
Vgs(th) (Max) @ Id2.5V @ 250µA

Elektrisch

Drain-Source-Spannung30 V
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On)4.5V, 10V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C5.1A (Ta)
Max. Verlustleistung500mW (Ta)

Mechanisch

GehäuseTape & Reel (TR)
Package / CaseSC-74, SOT-457
Hersteller-GehäuseSC-74

Umwelt

Betriebstemperatur-55°C~150°C(TJ)