PMN22XN,115

NXP USA Inc

PMN22XN,115

Analog & Leistungselektronik

MOSFET N-CH 30V 5.7A 6TSOP

ObsoletSC-74, SOT-457Analog & Leistungselektronik

Technische Spezifikationen

Strukturierte elektrische, mechanische und umweltbezogene Parameter aus importierten Produktattributen.

Allgemein

Rds On (Max) @ Id, Vgs27mOhm @ 5.7A, 4.5V
FET TypeN-Channel
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs10 nC @ 4.5 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds585 pF @ 15 V
HerstellerNXP USA Inc.
MontageartSurface Mount
Product StatusObsolete
TechnologieMOSFET (Metal Oxide)
Vgs (Max)±12V
Vgs(th) (Max) @ Id1.5V @ 250µA

Elektrisch

Drain-Source-Spannung30 V
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On)2.5V, 4.5V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C5.7A (Ta)
Max. Verlustleistung545mW (Ta), 6.25W (Tc)

Mechanisch

GehäuseTape & Reel (TR)
Package / CaseSC-74, SOT-457
Hersteller-GehäuseSC-74

Umwelt

Betriebstemperatur-55°C ~ 150°C (TJ)