PMGD130UN,115

NXP USA Inc

PMGD130UN,115

Analog & Leistungselektronik

MOSFET 2N-CH 20V 1.2A 6TSSOP

Obsolet6-TSSOP, SC-88, SOT-363Analog & Leistungselektronik

Technische Spezifikationen

Strukturierte elektrische, mechanische und umweltbezogene Parameter aus importierten Produktattributen.

Allgemein

Rds On (Max) @ Id, Vgs145mOhm @ 1.2A, 4.5V
Basis-TeilenummerPMGD1
Konfiguration2 N-Channel (Dual)
FET FeatureLogic Level Gate
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs1.3nC @ 4.5V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds83pF @ 10V
HerstellerNXP USA Inc.
MontageartSurface Mount
Product StatusObsolete
TechnologieMOSFET (Metal Oxide)
Vgs(th) (Max) @ Id1V @ 250µA

Elektrisch

Drain-Source-Spannung20V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C1.2A
Power - Max390mW

Mechanisch

GehäuseTape & Reel (TR)
Package / Case6-TSSOP, SC-88, SOT-363
Hersteller-Gehäuse6-TSSOP

Umwelt

Betriebstemperatur-55°C ~ 150°C (TJ)