PMDPB70EN,115

NXP USA Inc

PMDPB70EN,115

Analog & Leistungselektronik

MOSFET 2N-CH 30V 3.5A 6HUSON

Obsolet6-UFDFN Exposed PadAnalog & Leistungselektronik

Technische Spezifikationen

Strukturierte elektrische, mechanische und umweltbezogene Parameter aus importierten Produktattributen.

Allgemein

Rds On (Max) @ Id, Vgs57mOhm @ 3.5A, 10V
Basis-TeilenummerPMDPB70
Konfiguration2 N-Channel (Dual)
FET FeatureLogic Level Gate
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs4.5nC @ 10V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds130pF @ 15V
HerstellerNXP USA Inc.
MontageartSurface Mount
Product StatusObsolete
TechnologieMOSFET (Metal Oxide)
Vgs(th) (Max) @ Id2.5V @ 250µA

Elektrisch

Drain-Source-Spannung30V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C3.5A
Power - Max510mW

Mechanisch

GehäuseBulk
Package / Case6-UFDFN Exposed Pad
Hersteller-Gehäuse6-HUSON (2x2)

Umwelt

Betriebstemperatur-55°C ~ 150°C (TJ)