PMDPB38UNE,115

NXP USA Inc

PMDPB38UNE,115

Analog & Leistungselektronik

MOSFET 2N-CH 20V 4A 6HUSON

Obsolet6-UDFN Exposed PadAnalog & Leistungselektronik

Technische Spezifikationen

Strukturierte elektrische, mechanische und umweltbezogene Parameter aus importierten Produktattributen.

Allgemein

Rds On (Max) @ Id, Vgs46mOhm @ 3A, 4.5V
Basis-TeilenummerPMDPB
Konfiguration2 N-Channel (Dual)
FET FeatureLogic Level Gate
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs4.4nC @ 4.5V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds268pF @ 10V
HerstellerNXP USA Inc.
MontageartSurface Mount
Product StatusObsolete
TechnologieMOSFET (Metal Oxide)
Vgs(th) (Max) @ Id1V @ 250µA

Elektrisch

Drain-Source-Spannung20V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C4A
Power - Max510mW

Mechanisch

GehäuseTape & Reel (TR) Cut Tape (CT)
Package / Case6-UDFN Exposed Pad
Hersteller-Gehäuse6-HUSON (2x2)

Umwelt

Betriebstemperatur-55°C ~ 150°C (TJ)