PH4830L,115

NXP USA Inc

PH4830L,115

Analog & Leistungselektronik

MOSFET N-CH 30V 84A LFPAK56

ObsoletSC-100, SOT-669Analog & Leistungselektronik

Technische Spezifikationen

Strukturierte elektrische, mechanische und umweltbezogene Parameter aus importierten Produktattributen.

Allgemein

Rds On (Max) @ Id, Vgs4.8mOhm @ 25A, 10V
FET TypeN-Channel
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs22.9 nC @ 4.5 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds2786 pF @ 12 V
HerstellerNXP USA Inc.
MontageartSurface Mount
VerpackungTape & Reel (TR)
TeilestatusObsolet
SerieTrenchMOS™
TechnologieMOSFET (Metal Oxide)
Vgs (Max)±20V
Vgs(th) (Max) @ Id2.15V @ 1mA

Elektrisch

Drain-Source-Spannung30 V
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On)4.5V, 10V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C84A (Tc)
Max. Verlustleistung62.5W (Tc)

Mechanisch

Package / CaseSC-100, SOT-669
Hersteller-GehäuseLFPAK56, Power-SO8

Umwelt

Betriebstemperatur-55°C ~ 150°C (TJ)