Allgemein
| Resistance - RDS(On) | 50 Ohms |
|---|---|
| Basis-Teilenummer | J112 |
| FET Type | N-Channel |
| Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds | 6pF @ 10V (VGS) |
| Hersteller | NXP USA Inc. |
| Montageart | Through Hole |
| Product Status | Obsolete |
Technische Spezifikationen
Strukturierte elektrische, mechanische und umweltbezogene Parameter aus importierten Produktattributen.
Elektrisch
| Drain-Source-Spannung | 40 V |
|---|---|
| Voltage - Breakdown (V(BR)GSS) | 40 V |
| Voltage - Cutoff (VGS off) @ Id | 1 V @ 1 µA |
| Current - Drain (Idss) @ Vds (Vgs=0) | 5 mA @ 15 V |
| Power - Max | 400 mW |
Mechanisch
| Gehäuse | Tape & Box (TB) |
|---|---|
| Package / Case | TO-226-3, TO-92-3 (TO-226AA) Formed Leads |
| Hersteller-Gehäuse | TO-92-3 |
Umwelt
| Betriebstemperatur | 150°C (TJ) |
|---|