Allgemein
| Basis-Teilenummer | BUT12 |
|---|---|
| Hersteller | NXP USA Inc. |
| Montageart | Through Hole |
| Product Status | Obsolete |
| Transistor Type | NPN |
| Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic | 1.5V @ 860mA, 5A |
Technische Spezifikationen
Strukturierte elektrische, mechanische und umweltbezogene Parameter aus importierten Produktattributen.
Elektrisch
| Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max) | 450 V |
|---|---|
| Current - Collector (Ic) (Max) | 8 A |
| Current - Collector Cutoff (Max) | 1mA |
| DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce | 14 @ 1A, 5V |
| Power - Max | 110 W |
Mechanisch
| Gehäuse | Tube |
|---|---|
| Package / Case | TO-220-3 |
| Hersteller-Gehäuse | TO-220AB |
Umwelt
| Betriebstemperatur | 150°C (TJ) |
|---|