BUK9875-100A,115

NXP USA Inc

BUK9875-100A,115

Analog & Leistungselektronik

MOSFET N-CH 100V 7A SOT-223

ObsoletTO-261-4, TO-261AAAnalog & Leistungselektronik

Technische Spezifikationen

Strukturierte elektrische, mechanische und umweltbezogene Parameter aus importierten Produktattributen.

Allgemein

Rds On (Max) @ Id, Vgs72mOhm @ 8A, 10V
FET TypeN-Channel
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds1690 pF @ 25 V
HerstellerNXP USA Inc.
MontageartSurface Mount
Product StatusObsolete
SerieTrenchMOS™
TechnologieMOSFET (Metal Oxide)
Vgs (Max)±10V
Vgs(th) (Max) @ Id2V @ 1mA

Elektrisch

Drain-Source-Spannung100 V
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On)4.5V, 10V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C7A (Tc)
Max. Verlustleistung8W (Tc)

Mechanisch

GehäuseTape & Reel (TR) Cut Tape (CT)
Hersteller-GehäuseSC-73

Umwelt

GradeAutomotive
Betriebstemperatur-55°C ~ 150°C (TJ)
QualificationAEC-Q101