BUK98150-55,135

NXP USA Inc

BUK98150-55,135

Analog & Leistungselektronik

MOSFET N-CH 55V 5.5A SOT-223

ObsoletTO-261-4, TO-261AAAnalog & Leistungselektronik

Technische Spezifikationen

Strukturierte elektrische, mechanische und umweltbezogene Parameter aus importierten Produktattributen.

Allgemein

Rds On (Max) @ Id, Vgs150mOhm @ 5A, 5V
Basis-TeilenummerBUK98
FET TypeN-Channel
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds330 pF @ 25 V
HerstellerNXP USA Inc.
MontageartSurface Mount
Product StatusObsolete
SerieTrenchMOS™
TechnologieMOSFET (Metal Oxide)
Vgs (Max)±10V
Vgs(th) (Max) @ Id2V @ 1mA

Elektrisch

Drain-Source-Spannung55 V
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On)5V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C5.5A (Tc)
Max. Verlustleistung8.3W (Tc)

Mechanisch

GehäuseTape & Reel (TR)
Package / CaseTO-261-4, TO-261AA
Hersteller-GehäuseSC-73

Umwelt

Betriebstemperatur-55°C~150°C(TJ)