BUK7C06-40AITE,118

Name: BUK7C06-40AITE,118
Brand: NXP USA Inc

Analog & Leistungselektronik

MOSFET N-CH 40V 75A D2PAK

AktivTO-263-7, D²Pak (6 Leads + Tab), TO-263CBAnalog & Leistungselektronik

Strukturierte elektrische, mechanische und umweltbezogene Parameter aus importierten Produktattributen.

Rds On (Max) @ Id, Vgs	6mOhm @ 50A, 10V
FET Feature	Current Sensing
FET Type	N-Channel
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs	120 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds	4300 pF @ 25 V
Hersteller	NXP USA Inc.
Montageart	Surface Mount
Product Status	Active
Serie	Automotive, AEC-Q101, TrenchMOS™
Technologie	MOSFET (Metal Oxide)
Vgs (Max)	±20V
Vgs(th) (Max) @ Id	4V @ 1mA

Drain-Source-Spannung	40 V
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On)	10V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C	75A (Tc)
Max. Verlustleistung	272W (Tc)

Betriebstemperatur	-55°C~175°C(TJ)