BUK7575-100A,127

NXP USA Inc

BUK7575-100A,127

Analog & Leistungselektronik

MOSFET N-CH 100V 23A TO220AB

AktivTO-220-3Analog & Leistungselektronik

Technische Spezifikationen

Strukturierte elektrische, mechanische und umweltbezogene Parameter aus importierten Produktattributen.

Allgemein

Rds On (Max) @ Id, Vgs75mOhm @ 13A, 10V
FET TypeN-Channel
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds1210 pF @ 25 V
HerstellerNXP USA Inc.
MontageartThrough Hole
Product StatusActive
SerieAutomotive, AEC-Q101, TrenchMOS™
TechnologieMOSFET (Metal Oxide)
Vgs (Max)±20V
Vgs(th) (Max) @ Id4V @ 1mA

Elektrisch

Drain-Source-Spannung100 V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C23A (Ta)
Max. Verlustleistung99W (Ta)

Mechanisch

GehäuseTube
Package / CaseTO-220-3
Hersteller-GehäuseTO-220AB

Umwelt

Betriebstemperatur-55°C~175°C(TJ)