BUK6217-55C,118

Name: BUK6217-55C,118
Brand: NXP USA Inc

Analog & Leistungselektronik

MOSFET N-CH 55V 44A DPAK

AktivTO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63Analog & Leistungselektronik

Strukturierte elektrische, mechanische und umweltbezogene Parameter aus importierten Produktattributen.

Rds On (Max) @ Id, Vgs	19mOhm @ 12A, 10V
FET Type	N-Channel
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs	33.8 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds	1950 pF @ 25 V
Hersteller	NXP USA Inc.
Montageart	Surface Mount
Product Status	Active
Serie	Automotive, AEC-Q101, TrenchMOS™
Technologie	MOSFET (Metal Oxide)
Vgs (Max)	±16V
Vgs(th) (Max) @ Id	2.8V @ 1mA

Drain-Source-Spannung	55 V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C	44A (Ta)
Max. Verlustleistung	80W (Ta)

Betriebstemperatur	-55°C~175°C(TJ)