BAS116T,115

NXP USA Inc

BAS116T,115

Analog & Leistungselektronik

DIODE GEN PURP 75V 215MA SC75

ObsoletSC-75, SOT-416Analog & Leistungselektronik

Technische Spezifikationen

Strukturierte elektrische, mechanische und umweltbezogene Parameter aus importierten Produktattributen.

Allgemein

Basis-TeilenummerBAS11
Capacitance @ Vr, F2pF @ 0V, 1MHz
HerstellerNXP USA Inc.
MontageartSurface Mount
Product StatusObsolete
Reverse Recovery Time (trr)3 µs
TechnologieStandard

Elektrisch

Voltage - DC Reverse (Vr) (Max)75 V
Voltage - Forward (Vf) (Max) @ If1.25 V @ 150 mA
Current - Average Rectified (Io)215mA
Current - Reverse Leakage @ Vr5 nA @ 75 V
GeschwindigkeitStandard Recovery >500ns, > 200mA (Io)

Mechanisch

GehäuseTape & Reel (TR) Cut Tape (CT)
Package / CaseSC-75, SOT-416
Hersteller-GehäuseSC-75

Umwelt

Operating Temperature - Junction150°C (Max)