BAP65-05,215

NXP USA Inc

BAP65-05,215

Datenblatt

Analog & Leistungselektronik

RF DIODE PIN 30V 250MW TO236AB

ObsoletTO-236-3, SC-59, SOT-23-3Analog & Leistungselektronik

Technische Spezifikationen

Strukturierte elektrische, mechanische und umweltbezogene Parameter aus importierten Produktattributen.

Allgemein

Basis-TeilenummerBAP65
Capacitance @ Vr, F0.425pF @ 20V, 1MHz
Diode TypePIN - 1 Pair Common Cathode
HerstellerNXP USA Inc.
Product StatusObsolete
Resistance @ If, F350mOhm @ 100mA, 100MHz

Elektrisch

Voltage - Peak Reverse (Max)30V
Current - Max100 mA
Max. Verlustleistung250 mW

Mechanisch

GehäuseTape & Reel (TR)
Package / CaseTO-236-3, SC-59, SOT-23-3
Hersteller-GehäuseSOT-23 (TO-236AB)

Umwelt

Betriebstemperatur-65°C ~ 150°C (TJ)