Allgemein
| Basis-Teilenummer | BAP55 |
|---|---|
| Capacitance @ Vr, F | 0.28pF @ 20V, 1MHz |
| Diode Type | PIN - Single |
| Hersteller | NXP USA Inc. |
| Product Status | Active |
| Resistance @ If, F | 800mOhm @ 100mA, 100MHz |
Technische Spezifikationen
Strukturierte elektrische, mechanische und umweltbezogene Parameter aus importierten Produktattributen.
Elektrisch
| Voltage - Peak Reverse (Max) | 50V |
|---|---|
| Current - Max | 100 mA |
| Max. Verlustleistung | 135 mW |
Mechanisch
| Gehäuse | Tape & Reel (TR) Cut Tape (CT) |
|---|---|
| Package / Case | 2-XDFN |
| Hersteller-Gehäuse | DFN1006D-2 |
Umwelt
| Betriebstemperatur | -65°C ~ 150°C (TJ) |
|---|