BAP51LX,315

NXP USA Inc

BAP51LX,315

Datenblatt

Analog & Leistungselektronik

RF DIODE PIN 60V 140MW SOD2

Aktiv2-XDFNAnalog & Leistungselektronik

Technische Spezifikationen

Strukturierte elektrische, mechanische und umweltbezogene Parameter aus importierten Produktattributen.

Allgemein

Basis-TeilenummerBAP51
Capacitance @ Vr, F0.3pF @ 5V, 1MHz
Diode TypePIN - Single
HerstellerNXP USA Inc.
Product StatusActive
Resistance @ If, F1.5Ohm @ 100mA, 100MHz

Elektrisch

Voltage - Peak Reverse (Max)60V
Current - Max100 mA
Max. Verlustleistung140 mW

Mechanisch

GehäuseTape & Reel (TR) Cut Tape (CT)
Package / Case2-XDFN
Hersteller-GehäuseDFN1006D-2

Umwelt

Betriebstemperatur-65°C ~ 150°C (TJ)