BAP51L,315

NXP USA Inc

BAP51L,315

Analog & Leistungselektronik

RF DIODE PIN 60V 500MW DFN1006-2

ObsoletSOD-882Analog & Leistungselektronik

Technische Spezifikationen

Strukturierte elektrische, mechanische und umweltbezogene Parameter aus importierten Produktattributen.

Allgemein

Basis-TeilenummerBAP51
Capacitance @ Vr, F0.3pF @ 5V, 1MHz
Diode TypePIN - Single
HerstellerNXP USA Inc.
Product StatusObsolete
Resistance @ If, F1.5Ohm @ 100mA, 100MHz

Elektrisch

Voltage - Peak Reverse (Max)60V
Current - Max100 mA
Max. Verlustleistung500 mW

Mechanisch

GehäuseTape & Reel (TR)
Package / CaseSOD-882
Hersteller-GehäuseDFN1006-2

Umwelt

Betriebstemperatur-65°C ~ 150°C (TJ)