A5G35H110NT4

NXP USA Inc

A5G35H110NT4

Datenblatt

Analog & Leistungselektronik

RF MOSFET GAN 48V 6DFN

Aktiv6-LDFN Exposed PadAnalog & Leistungselektronik

Technische Spezifikationen

Strukturierte elektrische, mechanische und umweltbezogene Parameter aus importierten Produktattributen.

Allgemein

HerstellerNXP USA Inc.
MontageartSurface Mount
Product StatusActive
TechnologieGaN

Elektrisch

Power - Output15.1W
Voltage - Rated125 V
Voltage - Test48 V
Current - Test70 mA
Frequenz3.3GHz ~ 3.7GHz
Gain15.3dB

Mechanisch

GehäuseTape & Reel (TR)
Package / Case6-LDFN Exposed Pad
Hersteller-Gehäuse6-PDFN (7x6.5)