A3G26H200W17SR3

NXP USA Inc

A3G26H200W17SR3

Datenblatt

Analog & Leistungselektronik

RF MOSFET GAN 48V NI780

AbgekündigtNI-780S-4S2SAnalog & Leistungselektronik

Technische Spezifikationen

Strukturierte elektrische, mechanische und umweltbezogene Parameter aus importierten Produktattributen.

Allgemein

HerstellerNXP USA Inc.
Product StatusLast Time Buy
TechnologieGaN

Elektrisch

Power - Output34W
Voltage - Rated125 V
Voltage - Test48 V
Current - Test120 mA
Frequenz2.496GHz ~ 2.69GHz
Gain14.2dB

Mechanisch

GehäuseTape & Reel (TR)
Package / CaseNI-780S-4S2S
Hersteller-GehäuseNI-780S-4S2S