A3G26D055N-1805

NXP USA Inc

A3G26D055N-1805

Datenblatt

Analog & Leistungselektronik

RF MOSFET GAN 48V 6DFN

Aktiv6-LDFN Exposed PadAnalog & Leistungselektronik

Technische Spezifikationen

Strukturierte elektrische, mechanische und umweltbezogene Parameter aus importierten Produktattributen.

Allgemein

HerstellerNXP USA Inc.
MontageartSurface Mount
Product StatusActive
TechnologieGaN

Elektrisch

Power - Output8W
Voltage - Rated125 V
Voltage - Test48 V
Current - Test40 mA
Frequenz100MHz ~ 2.69GHz
Gain13.9dB

Mechanisch

GehäuseBulk
Package / Case6-LDFN Exposed Pad
Hersteller-Gehäuse6-PDFN (7x6.5)