A2G35S200-01SR3

NXP USA Inc

A2G35S200-01SR3

Datenblatt

Analog & Leistungselektronik

RF MOSFET GAN HEMT 48V NI400

AbgekündigtNI-400S-2SAnalog & Leistungselektronik

Technische Spezifikationen

Strukturierte elektrische, mechanische und umweltbezogene Parameter aus importierten Produktattributen.

Allgemein

Basis-TeilenummerA2G35
HerstellerNXP USA Inc.
MontageartSurface Mount
Product StatusLast Time Buy
TechnologieGaN HEMT

Elektrisch

Power - Output180W
Voltage - Rated125 V
Voltage - Test48 V
Current - Test291 mA
Frequenz3.4GHz ~ 3.6GHz
Gain16.1dB

Mechanisch

GehäuseTape & Reel (TR) Cut Tape (CT)
Package / CaseNI-400S-2S
Hersteller-GehäuseNI-400S-2S