2N7002PM,315

NXP USA Inc

2N7002PM,315

Analog & Leistungselektronik

MOSFET N-CH 60V 300MA DFN1006-3

Obsolet3-XFDFNAnalog & Leistungselektronik

Technische Spezifikationen

Strukturierte elektrische, mechanische und umweltbezogene Parameter aus importierten Produktattributen.

Allgemein

Basis-Teilenummer2N70
FET TypeN-Channel
HerstellerNXP USA Inc.
MontageartSurface Mount
Product StatusObsolete
TechnologieMOSFET (Metal Oxide)
Vgs (Max)±20V

Elektrisch

Drain-Source-Spannung60 V
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On)5V, 10V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C300mA (Ta)
Max. Verlustleistung250mW (Ta)

Mechanisch

GehäuseTape & Reel (TR)
Package / Case3-XFDFN
Hersteller-GehäuseDFN1006-3

Umwelt

Betriebstemperatur-55°C ~ 150°C (TJ)