Allgemein
| Hersteller | NXP Semiconductors |
|---|---|
| Montageart | Surface Mount |
| Product Status | Obsolete |
| Transistor Type | PNP |
| Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic | 240mV @ 100mA, 1A |
Technische Spezifikationen
Strukturierte elektrische, mechanische und umweltbezogene Parameter aus importierten Produktattributen.
Elektrisch
| Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max) | 30 V |
|---|---|
| Current - Collector (Ic) (Max) | 1 A |
| Current - Collector Cutoff (Max) | 100nA |
| DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce | 250 @ 100mA, 2V |
| Power - Max | 325 mW |
| Frequency - Transition | 170MHz |
Mechanisch
| Gehäuse | Bulk |
|---|---|
| Package / Case | 3-XDFN Exposed Pad |
| Hersteller-Gehäuse | DFN1010D-3 |
Umwelt
| Betriebstemperatur | 150°C (TJ) |
|---|