KFJ4B01120L

Nuvoton Technology Corporation

KFJ4B01120L

Datenblatt

Analog & Leistungselektronik

MOSFET P-CH 12V

Aktiv4-XFLGA, CSPAnalog & Leistungselektronik

Technische Spezifikationen

Strukturierte elektrische, mechanische und umweltbezogene Parameter aus importierten Produktattributen.

Allgemein

Rds On (Max) @ Id, Vgs51mOhm @ 2A, 4.5V
FET TypeP-Channel
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs10.7 nC @ 4.5 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds814 pF @ 10 V
HerstellerNuvoton Technology Corporation
MontageartSurface Mount
Product StatusActive
TechnologieMOSFET (Metal Oxide)
Vgs (Max)±8V
Vgs(th) (Max) @ Id1V @ 2mA

Elektrisch

Drain-Source-Spannung12 V
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On)1.5V, 4.5V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C2.6A (Ta)
Max. Verlustleistung370mW (Ta)

Mechanisch

GehäuseTape & Reel (TR) Cut Tape (CT)

Umwelt

GradeAutomotive
Betriebstemperatur-40°C ~ 85°C (TA)
QualificationAEC-Q101