NTE6129

NTE Electronics, Inc

NTE6129

Datenblatt

Analog & Leistungselektronik

DIODE GP 1.6KV 700A DO200AB

AktivDO-200AB, B-PUKAnalog & Leistungselektronik

Technische Spezifikationen

Strukturierte elektrische, mechanische und umweltbezogene Parameter aus importierten Produktattributen.

Allgemein

HerstellerNTE Electronics, Inc
MontageartClamp On
Product StatusActive
Reverse Recovery Time (trr)2 µs
TechnologieStandard

Elektrisch

Voltage - DC Reverse (Vr) (Max)1600 V
Voltage - Forward (Vf) (Max) @ If2.2 V @ 1500 A
Current - Average Rectified (Io)700A
Current - Reverse Leakage @ Vr50 mA @ 1600 V
GeschwindigkeitStandard Recovery >500ns, > 200mA (Io)

Mechanisch

GehäuseBag
Package / CaseDO-200AB, B-PUK
Hersteller-GehäuseDO-200AB

Umwelt

Operating Temperature - Junction-40°C ~ 150°C