NTE5317

NTE Electronics, Inc

NTE5317

Datenblatt

Analog & Leistungselektronik

R-SI BRIDGE 1000V 8A

Aktiv4-SquareAnalog & Leistungselektronik

Technische Spezifikationen

Strukturierte elektrische, mechanische und umweltbezogene Parameter aus importierten Produktattributen.

Allgemein

Diode TypeSingle Phase
HerstellerNTE Electronics, Inc
MontageartThrough Hole
Product StatusActive
TechnologieStandard

Elektrisch

Voltage - Forward (Vf) (Max) @ If1.1 V @ 4 A
Voltage - Peak Reverse (Max)1 kV
Current - Average Rectified (Io)8 A
Current - Reverse Leakage @ Vr10 µA @ 1000 V

Mechanisch

GehäuseBag
Package / Case4-Square

Umwelt

Betriebstemperatur-55°C ~ 125°C (TJ)